DDR5是第五代双倍速率同步动态随机存储器。。。目前中光远存储的DDR5颗粒最高速率突破8000Mbps，，，，颗粒容量覆盖16Gb/24Gb，，，产品功耗较DDR4降低20%*。
。DDR5内存芯片加入片内错误检查与自纠错机制以及更强的抗干扰设计，，，确保工作稳定性与数据完整性。。
。。中光远存储基于DDR5芯片推出多种形态的模组产品，，，满足服务器、、、、高性能电脑、
、、平板电脑等各应用需求，，，为数字时代新提供核心存储动力
。。。 *基于DDR4的对比，，，，其中功耗为内部测试数据

LPDDR5/5X 是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。。通过创新的封装技术和优化的内存设计，
，中光远存储 LPDDR5X在容量、、、、速率、、功耗上都有显著提升，，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，，，
，最高速率达到10667Mbps 
，，达到国际主流水平
，，，，较上一代LPDDR5提升了66%，，，同时可以兼容LPDDR5，，
，功耗则比LPDDR5降低了30%
。。* 满足移动旗舰手机更轻更薄的需求，，，，以超强性能优化使用体验，，助力设备突破性能瓶颈，，，，开启移动智能新体验。。。。 *基于LPDDR5的对比，，其中功耗为内部测试数据

DDR4内存芯片是第四代双倍速率同步动态随机存储器。。
。相较于上一代DDR3内存芯片，，DDR4内存芯片拥有更快的数据传输速率
、、、更稳定的性能和更低的功耗
。。。。中光远自主研发的DDR4内存芯片能够满足市场需求
，，，，多种类型的DDR4模组灵活可选
，
，适配各种行业，，可支持办公、、家庭、、、、休闲娱乐、、
、工业制造等广泛场景，，为云服务、、 物联网等多种设备和产品赋能，，，，带给用户更加出众的使用体验。。
。。

LPDDR4X内存芯片是第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器，，采用了包括LVSTL 低功耗接口在内的多项降低功耗的产品设计。。。。LPDDR4X内存芯片相较于第三代有更高的传输速率和更出色的功耗表现，，
，，是高性能
、、长续航移动设备的最佳选择。
。LPDDR4X内存芯片兼具大容量、、
、高速度、、
、高带宽和超低功耗的特点，
，，，不仅为智能手机
、
、、、智能穿戴等移动设备提供更加稳定流畅的体验，
，还给高分辨率显示、、虚拟现实、、、5G等技术的普及提供更多可能。。